Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 3, страницы 242–247 (Mi qe18252)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Генерация излучения

Сверхъяркий лазерный источник гамма-излучения на основе бетатронного механизма

О. Е. Вайсabc, М. Г. Лобокacb, В. Ю. Быченковcab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
c Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Рассмотрен процесс генерации синхротронного излучения в плазме околокритической плотности в режиме релятивистского самозахвата распространяющегося лазерного импульса применительно к параметрам установки XCELS. Такой режим распространения обеспечивает ускорение электронов с предельно большим суммарным зарядом (на уровне нескольких десятков нанокулонов) до гигаэлектронвольтных энергий, что определяет очень высокую яркость синхротронного излучения. На основе расчета запаздывающих потенциалов проведены исследования пространственно-временных и спектрально-угловых характеристик вторичного гамма-излучения. Продемонстрировано, что лазерные импульсы установки XCELS позволят генерировать направленное вторичное излучение с энергией фотонов вплоть до 10 МэВ (и выше) и яркостью, превышающей 1023 фотон.·с–1·мм–2·мрад–2 (при Δλ/λ = 0.1 %), которая оказывается больше яркости тормозного гамма-источника для тех же самых параметров лазера. Это открывает перспективы использования бетатронного источника для фазово-контрастной микроскопии глубоко экранированных объектов.
Ключевые слова: лазерно-плазменное ускорение частиц, режим релятивистского самозахвата лазерного импульса, синхротронное излучение, гамма-излучение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2021-1361
Российский фонд фундаментальных исследований 20-21-00023
Фонд развития теоретической физики и математики "БАЗИС" 22-1-3-28-1
Работа была выполнена при частичной поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (в рамках соглашения № 075-15-2021-1361), РФФИ (грант № 20-21-00023 Росатом) и Фонда развития теоретической физики и математики ''Базис'' (грант № 22-1-3-28-1).
Поступила в редакцию: 30.11.2022
Принята в печать: 30.11.2022
Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2023, Volume 50, Issue suppl. 7, Pages S806–S814
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335623190168
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: О. Е. Вайс, М. Г. Лобок, В. Ю. Быченков, “Сверхъяркий лазерный источник гамма-излучения на основе бетатронного механизма”, Квантовая электроника, 53:3 (2023), 242–247 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 7 (2023), S806–S814]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18252
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v53/i3/p242
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:122
    Список литературы:25
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024