А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 12, страницы 1079–1087 (Mi qe18201)

Специальный выпуск, посвященный 100-летию со дня рождения Н.Г.Басова

Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками

А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

PDF полного текста (1122 kB) Первая страница

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследованы характеристики полупроводниковых излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения с квантовыми ямами и с различной конфигурацией волноводных слоев. Рассмотрены лазеры с тонким и толстым волноводом применительно к решению задачи повышения выходной мощности. Проведено сравнение полупроводниковых излучателей с нелегированными и легированными волноводными слоями. Рассмотрены лазеры со сверхтонким и утолщенным сильно асимметричным волноводом. Показано, что снижение последовательного и теплового сопротивления уменьшает саморазогрев лазеров и положительно сказывается на повышении выходной мощности и КПД. Продемонстрированы перспективы использования эпитаксиальной интеграции для создания лазеров с несколькими туннельно-связанными излучающими секциями с целью повышения выходной мощности и яркости. Показана возможность создания монолитно-интегрированных лазеров-тиристоров, сочетающих в одном кристалле излучающую секцию и электронный ключ.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, волновод, легирование, выходная мощность, вольт-амперная характеристика.

Поступила в редакцию: 21.10.2022
Исправленный вариант: 08.12.2022

Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2023, Volume 50, Issue suppl. 4, Pages S405–S417
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335623160030

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe18201

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i12/p1079

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	138
Список литературы:	27
Первая страница:	24

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы