Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 11, страницы 1012–1017 (Mi qe18196)  

Подборка докладов, представленных на Международном семинаре по волоконным лазерам (Новосибирск, 15-19 августа 2022 г.) (редакторы-составители С.Л.Семёнов и С.А.Бабин)

Формирование лазерно-индуцированных периодических структур на тонких пленках нитридов переходных металлов и полупроводников

К. А. Бронниковa, С. А. Гладкихa, К. А. Окотрубa, В. П. Корольковa, А. А. Кучмижакbc, А. В. Достоваловa

a Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
c Тихоокеанский квантовый центр, Дальневосточный федеральный университет
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты по формированию лазерно-индуцированных поверхностных периодических структур (ЛИППС) на пленках TiN, CrN и Ge3N4 толщиной 25 – 400 нм с помощью фемтосекундных лазерных импульсов видимого и ИК диапазонов. Исследовано влияние параметров лазерного воздействия (длина волны, энергия импульса, скорость сканирования) на морфологию и химический состав формируемых структур. Обнаружено образование упорядоченных термохимических ЛИППС с комплексным составом нитрид/оксид в случае пленок TiN и CrN и абляционных ЛИППС с малым периодом в случае пленки Ge3N4.
Ключевые слова: лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры, нитриды переходных металлов, нитриды полупроводников.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-72-20162
Настоящая работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 21-72-20162).
Поступила в редакцию: 16.09.2022
Исправленный вариант: 27.10.2022
Принята в печать: 27.10.2022
Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2023, Volume 50, Issue suppl. 3, Pages S329–S335
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335623150046
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: К. А. Бронников, С. А. Гладких, К. А. Окотруб, В. П. Корольков, А. А. Кучмижак, А. В. Достовалов, “Формирование лазерно-индуцированных периодических структур на тонких пленках нитридов переходных металлов и полупроводников”, Квантовая электроника, 52:11 (2022), 1012–1017 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 3 (2023), S329–S335]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18196
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i11/p1012
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:123
    PDF полного текста:5
    Список литературы:25
    Первая страница:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024