Генерация терагерцевого излучения в легированном бором алмазе

Впервые продемонстрирована способность полупроводникового алмаза преобразовывать лазерное излучение ближнего ИК диапазона в терагерцевое излучение. Набор фотопроводящих антенн на основе легированных бором (∼1 ppm) монокристаллических алмазов был собран и протестирован в условиях накачки ультракороткими (τ_opt ≈ 150 фс) импульсами излучения с длиной волны 800 нм и импульсного напряжения (τ_E ≈ 10 нс, E_bias ≈ 10 кВ/см). Характеристики эмиттеров, легированных бором, сравнивались с недавно реализованными алмазными антеннами, легированными азотом, которые накачивались импульсами излучения с длиной волны 400 нм, поскольку замещающий азот требует гораздо более высокой энергии кванта для однофотонного возбуждения носителей. Полученные результаты являются еще одним шагом на пути к использованию алмаза в качестве материала для высокоэффективных фотопроводящих антенн.