Аннотация:
Впервые продемонстрирована способность полупроводникового алмаза преобразовывать лазерное излучение ближнего ИК диапазона в терагерцевое излучение. Набор фотопроводящих антенн на основе легированных бором (∼1 ppm) монокристаллических алмазов был собран и протестирован в условиях накачки ультракороткими (τopt ≈ 150 фс) импульсами излучения с длиной волны 800 нм и импульсного напряжения (τE ≈ 10 нс, Ebias ≈ 10 кВ/см). Характеристики эмиттеров, легированных бором, сравнивались с недавно реализованными алмазными антеннами, легированными азотом, которые накачивались импульсами излучения с длиной волны 400 нм, поскольку замещающий азот требует гораздо более высокой энергии кванта для однофотонного возбуждения носителей. Полученные результаты являются еще одним шагом на пути к использованию алмаза в качестве материала для высокоэффективных фотопроводящих антенн.
Образец цитирования:
В. В. Кононенко, Е. В. Заведеев, М. А. Дежкина, В. В. Булгакова, М. С. Комленок, Т. В. Кононенко, В. В. Букин, В. И. Конов, С. В. Гарнов, А. А. Хомич, “Генерация терагерцевого излучения в легированном бором алмазе”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 74–78 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S606–S612]