|
Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 8, страницы 728–730
(Mi qe18135)
|
|
|
|
Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров
Н. С. Утковa, А. Е. Дракинb, Г. Т. Микаелянac a ООО "Лассард", г.Обнинск, Московская обл.
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c ООО "НПП Инжект", Россия, Саратов
Аннотация:
Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В качестве реактивного металла выбран титан, поскольку он служит адгезионным слоем омических контактов полупроводниковых структур. Показано, как при уменьшении слоя осаждённого титана от 4.3 до 0.7 нм кривая вольт-амперной характеристики диодного лазера стремится к той форме, которая была до осаждения покрытия.
Ключевые слова:
диодный лазер, пассивация титаном.
Поступила в редакцию: 30.05.2022
Образец цитирования:
Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров”, Квантовая электроника, 52:8 (2022), 728–730 [Bull. Lebedev Physics Institute, 49:suppl. 1 (2022), S53–S57]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe18135 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i8/p728
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 119 | PDF полного текста: | 11 | Список литературы: | 22 | Первая страница: | 10 |
|