Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 7, страницы 676–680 (Mi qe18098)  

Некоторые особенности краевого излучения кристаллов ZnO, выращенных на кремниевых вискерах

Ч. М. Брискинаa, В. М. Маркушевa, Л. А. Задорожнаяb, М. Е. Гиваргизовb, В. Н. Яшковb, И. С. Волчковb, В. М. Каневскийb

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
b Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
Список литературы:
Аннотация: Проанализирован при комнатной температуре характер краевого излучения нанокристаллов ZnO, сформированных на кремниевых подложках с вискерами. Исследовались спектральные особенности излучения ZnO, выращенного как непосредственно на вискерах, так и на подложке без вискеров, а также ZnO, выращенного на кремниевых вискерах с золотыми глобулами на их вершинах. Анализ результатов показал, что в случае роста ZnO на вискерах значительный вклад в спектр люминесценции нанокристаллов вносит фононное повторение излучения свободных экситонов, при этом доминирует однородное уширение. Сравнение интенсивностей краевого излучения в образцах с золотом и без него показало, что использование золота усиливает излучение приблизительно в три раза.
Ключевые слова: ZnO, нанокристаллы, кремниевые вискеры, золото, фотолюминесценция, краевое излучение, экситоны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации RFMEFI62119X0035
Работа проводилась с использованием оборудования ЦКП ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект RFMEFI62119X0035) в рамках выполнения государственных заданий ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН (в части роста наноструктур) и ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН (в части фотолюминесцентных исследований).
Поступила в редакцию: 15.04.2022
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Ч. М. Брискина, В. М. Маркушев, Л. А. Задорожная, М. Е. Гиваргизов, В. Н. Яшков, И. С. Волчков, В. М. Каневский, “Некоторые особенности краевого излучения кристаллов ZnO, выращенных на кремниевых вискерах”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 676–680
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18098
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i7/p676
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:119
    PDF полного текста:6
    Список литературы:20
    Первая страница:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024