Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии

На основе эпитаксиальной структуры InGaAs/InP разработан и создан мезафотодиод с входом излучения через подложку и диаметром чувствительной области 150 мкм. Предпочтительность использования данного фотодиода в фотоприемных устройствах систем дальнометрирования обусловлена его конструкцией, которая исключает фотогенерацию носителей за пределами чувствительной площадки приемника и дает возможность с помощью высокоэнергетических дальномеров проводить измерения дистанции в ближней зоне при наличии помехи обратного рассеяния. Разработанный фотодиод при напряжении обратного смещения 5 В обладает темновым током не более 2 нА, емкостью не более 1.2 пФ и чувствительностью 0.55 А/Вт на длине волны λ = 1.064 мкм. На основе разработанного фотодиода создано малогабаритное фотоприемное устройство для систем импульсной лазерной дальнометрии, имеющее на λ = 1.064 мкм пороговую чувствительность менее 65 нВт для длительности импульса регистрируемого лазерного излучения 10 нс при вероятности правильного обнаружения 0.5 и показателе FAR = 1 × 10^–3.