Висмутовый волоконный лазер с накачкой в оболочку световода, излучающий в области длин волн 1.3 – 1.4 мкм

Впервые сообщается о разработке висмутового волоконного лазера с длиной волны генерации в области 1.3 – 1.4 мкм, накачиваемого в оболочку активного световода излучением многомодовых полупроводниковых диодов на λ = 0.79 мкм. Представлены экспериментальные данные о режимах генерации различных конфигураций такого лазера, получаемых при изменении коэффициентов отражения и спектральной селективности используемых зеркал, а также длины активного световода. Дифференциальная эффективность висмутового лазера, генерирующего на длине волны 1360 нм, составила 1.4 % относительно введенной в оболочку световода мощности накачки, а максимальная выходная мощность превысила 300 мВт.