Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 5, страницы 465–468 (Mi qe18044)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Сверхлюминесценция в фононном крыле спектра фотолюминесценции NV-центров в алмазе при оптической накачке на λ = 532 нм

Е. И. Липатовab, Д. Е. Генинab, М. А. Шулеповab, Е. Н. Тельминовa, А. Д. Саввинa, А. П. Елисеевc, В. Г. Винсd

a Лаборатория квантовых информационных технологий, Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
d ООО "Велман"
Список литературы:
Аннотация: Продемонстрирована сверхлюминесценция NV-центров с максимумом полосы на λ = 718 нм в фононном крыле спектра фотолюминесценции алмазного HPHT-образца при импульсном оптическом возбуждении на λ = 532 нм с интенсивностью 2 – 46 МВт/см2. Сверхлюминесценция наблюдалась в области алмазного кристалла, содержащей 6 ppm NV-центров и 150 ppm замещающего азота, и не возникала в областях кристалла с меньшим содержанием азота. Импульс сверхлюминесценции наблюдался на переднем фронте импульса оптического возбуждении на λ = 532 нм и имел длительность 4 нс на полувысоте. Высказано предположение, что усиление фотолюминесценции NV-центров происходило за счет полного внутреннего отражения в алмазной пластине (волноводный эффект).
Ключевые слова: алмаз, лазер, сверхлюминесценция, фотолюминесценция, NV-центр, оптическая накачка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0721-2020-0048
Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ (проект № 0721-2020-0048).
Поступила в редакцию: 30.09.2021
Исправленный вариант: 14.01.2022
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, Volume 52, Issue 5, Pages 465–468
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL18044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Е. И. Липатов, Д. Е. Генин, М. А. Шулепов, Е. Н. Тельминов, А. Д. Саввин, А. П. Елисеев, В. Г. Винс, “Сверхлюминесценция в фононном крыле спектра фотолюминесценции NV-центров в алмазе при оптической накачке на λ = 532 нм”, Квантовая электроника, 52:5 (2022), 465–468 [Quantum Electron., 52:5 (2022), 465–468]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18044
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i5/p465
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:200
    PDF полного текста:22
    Список литературы:37
    Первая страница:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024