Сужение диаграммы направленности мощных инжекционных лазеров с широким полосковым контактом с помощью внешнего микроселектора

Исследованы пространственные и мощностные характеристики квантоворазмерных гетеролазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs на длине волны 940 нм. С помощью внешнего микроселектора получена близкая к однолепестковой диаграмма направленности излучения лазера с шириной полоскового контакта 50 мкм. Максимальная мощность излучения в основном лепестке диаграммы направленности, имеющем дифракционную расходимость, составила ~185 мВт. При фиксированном токе накачки мощность, содержащаяся в центральном лепестке с дифракционной расходимостью, составила 55% мощности лазера без селективного элемента.