Моделирование процессов, обуславливающих нелинейное поглощение УФ лазерного излучения в ионных кристаллах

Рассмотрены две модели взаимодействия лазерного излучения УФ и ВУФ диапазонов с кристаллами MgF$_2$, CaF$_2$ и BaF$_2$. В первом варианте длина волны лазерного излучения попадает в область поглощения $F$-центров, во втором она находится в коротковолновой области крыла поглощения $H$-центров. Показано, что фотодиссоциация в кристаллах $F_2^{-}$-комплексов на две дырки является эффективным механизмом возникновения дефектов кристаллической структуры. Учет этих и других процессов релаксации электронных возбуждений позволяет объяснить многие экспериментальные результаты по воздействию ионизирующего и лазерного излучения на ионные кристаллы.