Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 10, страницы 938–946 (Mi qe17915)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Оптическое детектирование ансамбля С-центров в алмазе и когерентное управление им с помощью ансамбля NV-центров

О. Р. Рубинасabcd, В. В. Сошенкоbd, С. В. Большедворскийbd, И. С. Кожокаруbc, А. И. Зеленеевa, В. В. Воробьевe, В. Н. Сорокинba, В. Г. Винсf, А. Н. Смоляниновd, А. В. Акимовgdc

a Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
c Российский квантовый центр, Москва, Сколково
d ООО ''Сенсор Спин Техноложис'', Москва, Сколково
e The University of Stuttgart, Germany
f ООО ''Велман'', г. Новосибирск
g Texas A&M University, USA
Список литературы:
Аннотация: Детально исследована природа декогерентности в наиболее оптимальной с точки зрения магнитометрии алмазной пластине, а именно в пластине с компромиссными значениями концентрации и времени когерентности NV-центров. В этой пластине измерена концентрация С-центров, являющихся донорами для формирования NV-центров и в то же время ограничивающих их время когерентности. Ансамбль NV-центров в алмазе был использован в качестве чувствительного элемента, позволяющего регистрировать динамику когерентности и концентрацию С-центров. Для регистрации применялся метод оптического двойного электрон-электронного резонанса. Его существенным преимуществом перед методом ИК спектроскопии, которым измеряется некоторая средняя концентрация дефектов в алмазной пластине, является возможность локального измерения концентрации С-центров. Предложенным нами методом определена концентрация C-центров, составившая 50.1 ± 1.4 ppm, что уточняет результат измерений методом ИК спектроскопии, равный 57.5 ± 4.8 ppm.
Ключевые слова: NV-центр, С-центр, алмаз, оптически детектируемый магнитный резонанс, спин-эхо, осцилляции Раби, двойной электрон-электронный резонанс.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-32-90025-Аспиранты
Российский научный фонд 21-42-04407
Метод измерения концентрации С-центров в алмазе разработан при поддержке РФФИ (грант № 20-32-90025-Аспиранты). Спектроскопия спиновой ванны в алмазе и когерентное управление ею выполнены при поддержке РНФ (грант № 21-42-04407).
Поступила в редакцию: 03.06.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 10, Pages 938–946
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17624
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: О. Р. Рубинас, В. В. Сошенко, С. В. Большедворский, И. С. Кожокару, А. И. Зеленеев, В. В. Воробьев, В. Н. Сорокин, В. Г. Винс, А. Н. Смолянинов, А. В. Акимов, “Оптическое детектирование ансамбля С-центров в алмазе и когерентное управление им с помощью ансамбля NV-центров”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 938–946 [Quantum Electron., 51:10 (2021), 938–946]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17915
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i10/p938
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:108
    PDF полного текста:17
    Список литературы:16
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024