|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 8, страницы 675–680
(Mi qe1790)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Активные среды
Конкуренция генерационных линий в газовых лазерах
А. А. Пикулев Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, г. Саров
Аннотация:
Рассмотрена одновременная генерация на двух линиях, имеющих общий верхний рабочий уровень. В рамках двухуровневой модели получена формула для коэффициента усиления на каждой линии. Найдено, что конкуренция может быть двух типов: симбиоз и гашение. Показано, что конкуренция в режиме гашения может использоваться для исследования скоростей заселения нижних уровней. Полученные результаты проиллюстрированы диаграммами конкуренции линий с λ = 2.65 и 2.03 мкм атома Xe для смеси Ar — Xe и линий с λ = 703.2 и 724.5 нм атома Ne для смеси Ne — Ar.
Поступила в редакцию: 23.09.1999
Образец цитирования:
А. А. Пикулев, “Конкуренция генерационных линий в газовых лазерах”, Квантовая электроника, 30:8 (2000), 675–680 [Quantum Electron., 30:8 (2000), 675–680]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1790 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i8/p675
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 112 | PDF полного текста: | 61 | Первая страница: | 1 |
|