Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 7, страницы 635–640 (Mi qe1781)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Голографическая запись в пленках азосодержащих ЖК полимеров в присутствии ориентирующего электрического поля

А. Н. Симоновa, А. В. Ларичевa, В. П. Шибаевb

a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследована динамика голографической записи в пленке азосодержащего жидкокристаллического полимера в присутствии ориентирующего электрического поля. Продемонстрирована возможность эффективного управления режимами оптической записи при изменении величины приложенного поля. Рассмотрены особенности формирования голограмм в случае различных поляризаций взаимодействующих световых пучков. Предложена теоретическая модель динамики голографической записи в пленке азосодержащего полимера с нематическими свойствами, а также проведено численное моделирование процессов записи и считывания анизотропных голограмм.
Поступила в редакцию: 30.12.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 7, Pages 635–640
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n07ABEH001781
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Df, 42.70.Ln, 42.70.Ht


Образец цитирования: А. Н. Симонов, А. В. Ларичев, В. П. Шибаев, “Голографическая запись в пленках азосодержащих ЖК полимеров в присутствии ориентирующего электрического поля”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 635–640 [Quantum Electron., 30:7 (2000), 635–640]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1781
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i7/p635
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:134
    PDF полного текста:75
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024