|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 7, страницы 632–634
(Mi qe1780)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Нелинейно-оптические явления и приборы
Высокоэффективный параметрический преобразователь на кристаллах КТР
В. Л. Наумовa, А. М. Онищенкоa, А. С. Подставкинb, А. В. Шестаковa a Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха
b ООО «Научно-производственный центр "ЭЛС-94"», г. Москва
Аннотация:
Создан высокоэффективный внерезонаторный параметрический генератор на кристаллах КТР для преобразования излучения лазеров на кристаллах ИАГ:Nd3+ с λ = 1.064 мкм в излучение с λ = 1.573 мкм и исследованы его генерационные характеристики. Получен дифференциальный КПД преобразования 56.5% при пороговой плотности энергии 0.06 Дж/см2. В широком диапазоне энергий накачки расходимость параметрического излучения не превышает четырех дифракционных пределов. Продемонстрирована возможность стабильной работы при более чем 30-кратном превышении энергии накачки над пороговой.
Поступила в редакцию: 23.02.2000
Образец цитирования:
В. Л. Наумов, А. М. Онищенко, А. С. Подставкин, А. В. Шестаков, “Высокоэффективный параметрический преобразователь на кристаллах КТР”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 632–634 [Quantum Electron., 30:7 (2000), 632–634]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1780 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i7/p632
|
|