|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 6, страницы 501–505
(Mi qe1751)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
IV Международная конференция по импульсным лазерам на переходах атомов и молекул (AMP'99)
Критическая плотность электронов при ограничении частоты следования импульсов в лазере на парах меди
С. И. Яковленко Институт общей физики РАН, г. Москва
Аннотация:
Рассмотрен один из механизмов срыва инверсии в лазерах на парах меди, обусловленный высокой предымпульсной плотностью электронов. Показано, что это происходит при некоторой критической плотности электронов Ne cr. Если предымпульсная плотность электронов превышает Ne cr, то температура электронов Te cr в течение импульса нагрева плазмы не достигает ~2 эВ, что необходимо для возникновения генерации. Дана простая оценка Ne cr.
Поступила в редакцию: 15.10.1999
Образец цитирования:
С. И. Яковленко, “Критическая плотность электронов при ограничении частоты следования импульсов в лазере на парах меди”, Квантовая электроника, 30:6 (2000), 501–505 [Quantum Electron., 30:6 (2000), 501–505]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1751 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i6/p501
|
|