Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 6, страницы 511–517 (Mi qe17463)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика ультрахолодных атомов и их применения

Уширение уровней энергии ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах группы IIb термоизлучением окружающей среды

И. Л. Глухов, А. А. Каменский, В. Д. Овсянников

Воронежский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Представлен вывод простых аналитических выражений для расчетов индуцируемых излучением черного тела (ИЧТ) ширин ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах Zn+, Cd+, Hg+ группы IIb периодической системы элементов при температурах окружающей среды от 100 до 3000 K. Рассчитаны вероятности радиационных переходов из возбужденных nS-, nP-, nD- и nF-состояний во все дипольно-доступные состояния ионов. При расчетах амплитуд связанно-связанных переходов использованы волновые функции метода квантового дефекта (МКД) для начального и конечного состояний ридберговского электрона. Определены зависимости вероятностей индуцированных распадов и возбуждений от температуры ИЧТ, главного и орбитального квантовых чисел ридберговского иона. Получены аналитические выражения для численных оценок вкладов вероятностей термоиндуцированных распадов и возбуждений в ширину ридберговского энергетического уровня. Рассчитаны численные значения коэффициентов интерполяционных полиномов, представляющих асимптотические разложения по степеням главного квантового числа n для относительных вероятностей распадов и возбуждений ридберговских состояний с большими значениями n и малыми орбитальными моментами l = 0, 1, 2, 3.
Ключевые слова: атом, ион, группа IIb, ридберговские состояния, излучение черного тела, вероятность распада, возбуждения, метод квантового дефекта.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации FZGU-2020-0035
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках госзадания по проекту FZGU-2020-0035.
Поступила в редакцию: 29.03.2021
Исправленный вариант: 22.04.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 6, Pages 511–517
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17581
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: И. Л. Глухов, А. А. Каменский, В. Д. Овсянников, “Уширение уровней энергии ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах группы IIb термоизлучением окружающей среды”, Квантовая электроника, 51:6 (2021), 511–517 [Quantum Electron., 51:6 (2021), 511–517]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17463
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i6/p511
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024