Структуры с квантовыми точками II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов

Предложена структура с квантовыми точками (КТ) II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов. Для моделирования распределения деформаций и зонной структуры предложенных гетероструктур с различными содержанием Bi и размерами квантовых точек используется метод конечных элементов. Компонента ε_xx тензора деформаций уменьшается с ростом содержания Bi и высоты КТ и увеличивается с ростом ее диаметра, а компонента ε_zz изменяется обратным образом. Рекомбинация носителей заряда происходит между электронами КТ GaAsBi и дырками GaSb. Энергия основного состояния электронов КТ GaAsBi уменьшается, а длина волны излучения растет с увеличением содержания Bi и размеров КТ. При определенных содержании Bi и размерах КТ длина волны излучения может соответствовать среднему и дальнему ИК диапазонам. Предложенная структура открывает реальную возможность изготовления лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов.