Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 2, страницы 158–163 (Mi qe17397)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Генерация терагерцевого излучения

Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинa, В. И. Гавриленкоa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. В. Уточкинa, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Список литературы:
Аннотация: Исследована возможность усиления терагерцевого гибридного поверхностного плазмона в структуре с эпитаксиальной пленкой Hg0.82Cd0.18Te, выращенной на подложке GaAs и покрытой слоем металла. Показано, что при толщине пленки 100 нм и температуре 80 K модовое усиление гибридного поверхностного плазмона может быть больше внешних потерь при интенсивности излучения накачки с длиной волны 2.3 мкм, превышающей 850 кВт/см2. Дополнительное легирование слоя Hg0.82Cd0.18Te донорной примесью с концентрацией 4 × 1017 см-3 приведет к уменьшению пороговой интенсивности накачки в 1.5 раза.
Ключевые слова: гибридный плазмон, терагерцевое излучение, лазер.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2020-797
Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования № 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024).
Поступила в редакцию: 07.10.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 2, Pages 158–163
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17461
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Дополнительные материалы:
pic_3.pdf (698.0 Kb)
pic_4.pdf (712.0 Kb)


Образец цитирования: А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 158–163 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17397
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i2/p158
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:221
    PDF полного текста:33
    Список литературы:29
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024