|
Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 2, страницы 158–163
(Mi qe17397)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Генерация терагерцевого излучения
Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe
А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинa, В. И. Гавриленкоa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. В. Уточкинa, С. В. Морозовa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследована возможность усиления терагерцевого гибридного поверхностного плазмона в структуре с эпитаксиальной пленкой Hg0.82Cd0.18Te, выращенной на подложке GaAs и покрытой слоем металла. Показано, что при толщине пленки 100 нм и температуре 80 K модовое усиление гибридного поверхностного плазмона может быть больше внешних потерь при интенсивности излучения накачки с длиной волны 2.3 мкм, превышающей 850 кВт/см2. Дополнительное легирование слоя Hg0.82Cd0.18Te донорной примесью с концентрацией 4 × 1017 см-3 приведет к уменьшению пороговой интенсивности накачки в 1.5 раза.
Ключевые слова:
гибридный плазмон, терагерцевое излучение, лазер.
Поступила в редакцию: 07.10.2020
Образец цитирования:
А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 158–163 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17397 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i2/p158
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 218 | PDF полного текста: | 31 | Список литературы: | 26 | Первая страница: | 6 |
|