|
Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 12, страницы 1140–1145
(Mi qe17362)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество
Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов
М. С. Андрееваa, Н. В. Артюшкинb, М. И. Крымскийb, А. И. Лаптевb, Н. И. Полушинb, В. Е. Рогалинc, М. В. Рогожинb a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, г. С.-Петербург
Аннотация:
Исследовано воздействие сфокусированного излучения непрерывного СО2-лазера на неохлаждаемую пластину поликристаллического CVD-алмаза в диапазоне плотностей мощности лазерного излучения 300–800 кВт/cм2 при времени облучения 1 с. Обнаружено, что при плотности мощности 800 кВт/cм2 коэффициент поглощения на 0.035см-1 больше, чем при 300 кВт/cм2. что связано с температурной зависимостью его фононно-индуцированного поглощения при изменении температуры пластины от 44 до 100 °С. Показано, что поликристаллический алмаз, в отличие от других оптических материалов, не подвержен нелинейному (лавинообразному) росту поглощения при плотностях мощности излучения СО2-лазера как минимум до 800 кВт/см2.
Ключевые слова:
поликристаллический CVD-алмаз, СО2-лазер, излучение, плотность мощности, коэффициент поглощения, выходное окно, пирометр, математическое моделирование.
Поступила в редакцию: 18.08.2020 Исправленный вариант: 05.10.2020
Образец цитирования:
М. С. Андреева, Н. В. Артюшкин, М. И. Крымский, А. И. Лаптев, Н. И. Полушин, В. Е. Рогалин, М. В. Рогожин, “Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1140–1145 [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1140–1145]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17362 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i12/p1140
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 172 | PDF полного текста: | 61 | Список литературы: | 36 | Первая страница: | 13 |
|