Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 12, страницы 1140–1145 (Mi qe17362)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов

М. С. Андрееваa, Н. В. Артюшкинb, М. И. Крымскийb, А. И. Лаптевb, Н. И. Полушинb, В. Е. Рогалинc, М. В. Рогожинb

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, г. С.-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Исследовано воздействие сфокусированного излучения непрерывного СО2-лазера на неохлаждаемую пластину поликристаллического CVD-алмаза в диапазоне плотностей мощности лазерного излучения 300–800 кВт/cм2 при времени облучения 1 с. Обнаружено, что при плотности мощности 800 кВт/cм2 коэффициент поглощения на 0.035см-1 больше, чем при 300 кВт/cм2. что связано с температурной зависимостью его фононно-индуцированного поглощения при изменении температуры пластины от 44 до 100 °С. Показано, что поликристаллический алмаз, в отличие от других оптических материалов, не подвержен нелинейному (лавинообразному) росту поглощения при плотностях мощности излучения СО2-лазера как минимум до 800 кВт/см2.
Ключевые слова: поликристаллический CVD-алмаз, СО2-лазер, излучение, плотность мощности, коэффициент поглощения, выходное окно, пирометр, математическое моделирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI57818X0266
Настоящая работа выполнена в рамках федерального целевого проекта программы “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы” по теме “Разработка технологии и аппаратуры для получения сверхчистых монокристаллов алмаза CVD-методом и процессов их легирования для использования в фотонике и в микроэлектронике в виде высокотемпературных полупроводников” в рамках Соглашения о предоставлении cубсидии № 075-02-2018-210 от 26 ноября 2018 г. (Уникальный идентификатор соглашения RFMEFI57818X0266) при финансовой поддержке прикладных научных исследований Министерством науки и высшего образования РФ.
Поступила в редакцию: 18.08.2020
Исправленный вариант: 05.10.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 12, Pages 1140–1145
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17423
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. С. Андреева, Н. В. Артюшкин, М. И. Крымский, А. И. Лаптев, Н. И. Полушин, В. Е. Рогалин, М. В. Рогожин, “Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1140–1145 [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1140–1145]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17362
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i12/p1140
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:151
    PDF полного текста:38
    Список литературы:25
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024