Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 11, страницы 1007–1014 (Mi qe17347)  

Активные среды

Особенности переноса флуоресценции в многократно рассеивающих случайно-неоднородных слоях при интенсивной лазерной накачке

Д. А. Зимняковab, С. С. Волчковa, Л. А. Кочкуровa, А. Ф. Дороговa

a Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А.
b Институт проблем точной механики и управления РАН, г. Саратов
Список литературы:
Аннотация: На основе анализа экспериментальных данных о влиянии интенсивности импульсной лазерной накачки на спектральные свойства и размер зоны флуоресцентного отклика для флуоресцирующих случайно-неоднородных слоев установлено, что усиление спонтанного и вынужденного излучений существенно влияет на статистические свойства длин распространения парциальных составляющих флуоресцентного поля в слоях. Эксперименты проводились с насыщенными родамином 6Ж слоями наночастиц SiO2 и TiO2, накачиваемыми лазерным излучением на длине волны 532 нм в интервале интенсивностей, соответствующем переходу от режима возбуждения спонтанной флуоресценции в слое к режиму стохастической лазерной генерации. Экспериментальные данные сопоставлены с результатами статистического моделирования переноса флуоресценции. Показано, что даже при интенсивности накачки ниже пороговой для стохастической лазерной генерации усиление спонтанного излучения в слое приводит к существенному увеличению вкладов во флуоресцентный отклик парциальных составляющих с длинами распространения, намного бóльшими толщины слоев. Это может быть интерпретировано как проявление квазиволноводного эффекта, при котором вероятность распространения диффузных составляющих флуоресценции вдоль слоя на расстояния, многократно превышающие его толщину и размер области накачки, значительно возрастает при уменьшении характерной длины усиления излучения в слое.
Ключевые слова: случайно-неоднородная среда, флуоресценция, лазерная накачка, стохастическая лазерная генерация, спонтанное излучение, длина распространения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-32-90221
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-2181.2020.2
Настоящая работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-32-90221 в части проведения экспериментальных исследований и статистического моделирования и гранта Президента РФ № МК-2181.2020.2 в части проектирования и изготовления экспериментальной установки.
Поступила в редакцию: 22.05.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 11, Pages 1007–1014
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17372
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Д. А. Зимняков, С. С. Волчков, Л. А. Кочкуров, А. Ф. Дорогов, “Особенности переноса флуоресценции в многократно рассеивающих случайно-неоднородных слоях при интенсивной лазерной накачке”, Квантовая электроника, 50:11 (2020), 1007–1014 [Quantum Electron., 50:11 (2020), 1007–1014]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17347
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i11/p1007
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025