Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 10, страницы 900–903 (Mi qe17337)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Эффективная генерация излучения в смесях гелия и фтора в диффузных разрядах, формируемых убегающими электронами

В. Ф. Тарасенко, А. Н. Панченко, В. В. Кожевников

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
Список литературы:
Аннотация: Исследованы параметры вынужденного излучения, генерируемого в диффузных разрядах, которые формируются в смесях гелия и фтора в резко неоднородном электрическом поле. Получена генерация в видимой и ВУФ областях спектра на переходах атомов и молекул фтора. Показано, что в смесях Не – F2 генерация на длине волны 157 нм продолжается в течение нескольких полупериодов тока разряда. За счет однородности диффузного разряда получен максимальный КПД генерации F2-лазера 0.15%, что соответствует КПД лазеров данного типа с накачкой поперечными объемными разрядами с предыонизацией.
Ключевые слова: эффективная ВУФ генерация, диффузный разряд, неоднородное электрическое поле, убегающие электроны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 13.1.4
Работа выполнена в рамках государственного задания ИСЭ СО РАН по теме № 13.1.4.
Поступила в редакцию: 15.06.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 10, Pages 900–903
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17384
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. Ф. Тарасенко, А. Н. Панченко, В. В. Кожевников, “Эффективная генерация излучения в смесях гелия и фтора в диффузных разрядах, формируемых убегающими электронами”, Квантовая электроника, 50:10 (2020), 900–903 [Quantum Electron., 50:10 (2020), 900–903]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17337
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i10/p900
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:126
    PDF полного текста:23
    Список литературы:23
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024