Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки

Исследована временная динамика Yb, Er-лазера с поперечной диодной накачкой при воздействии на пассивный Co²⁺:MgAl₂O₄-затвор излучения полупроводникового импульсного модуля с интегральной плотностью потока энергии 0.15 – 0.16 Дж/см². Показано, что с помощью внешней подсветки затвора можно изменять время задержки начала генерации и величину временного джиттера ΔT_gi. Зависимость ΔT_gi от интервала между моментом включения модуля подсветки и моментом генерации лазерного пика t_i имеет минимум при |t_i| ≈ 10 мкс. Уменьшение ΔT_gi при изменении |t_i| от 90 до 10 мкс свидетельствует о том, что момент появления пика генерации Yb, Er-лазера частично контролируется импульсом излучения высокостабильного полупроводникового модуля. Если же |t_i| < 10 мкс, то плотность потока энергии усиленной люминесценции в резонаторе Yb, Er-лазера становится более 0.16 Дж/см², излучение модуля подсветки уже не оказывает заметного влияния на процесс генерации иттербий-эрбиевого лазера и, как следствие, величина временного джиттера возрастает до исходного значения.