| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Лазеры, активные среды лазеров Генерационные характеристики кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при накачке импульсным излучением Tm : LiYF4-лазера П. А. Рябочкинаa, С. А. Артемовa, Н. Г. Захаровb, Е. В. Салтыковb, К. В. Воронцовb, А. Н. Чабушкинc, Е. Е. Ломоноваd a Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва, г. Саранск b ФГУП "Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ", г. Саров Нижегородской обл. c ООО "МЦКТ", Московская обл., Одинцовский р-н, д. Сколково d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17349 
Реферативные базы данных:
   Образец цитирования: П. А. Рябочкина, С. А. Артемов, Н. Г. Захаров, Е. В. Салтыков, К. В. Воронцов, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова, “Генерационные характеристики кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при накачке импульсным излучением Tm : LiYF4-лазера”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|