Влияние температуры выращивания монокристаллов KTiOAsO4 на их физико-химические параметры и формирование доменных структур

Кристалл титанил арсената калия (KTiOAsO₄, КТА) размером 50 × 80 × 60 мм выращен модернизированным методом Чохральского из раствор-расплава (TGGS) с понижением температуры от 900 до 770 °С в процессе вытягивания. Показано, что спектроскопические свойства участков кристаллов КТА, полученных при 900 и 770 °С, близки, тогда как электропроводность низкотемпературного (770 °C) участка КТА оказалась на порядок ниже, чем у высокотемпературного. Визуализация доменной структуры методом микроскопии генерации второй гармоники выявила более эффективное (сквозь образец) прорастание доменов в низкотемпературном КТА, что важно при изготовлении регулярной доменной структуры (РДС) в нелинейно-оптическом элементе на основе кристалла КТА. Установлено, что квантовая эффективность параметрической генерации света в РДС с использованием низкотемпературного КТА в несколько раз выше, чем при использовании высокотемпературного. Полученные результаты важны для оптимизации параметров РДС.