Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 4, страницы 321–322 (Mi qe1724)  
Лазеры

Статистические особенности деградации гетеролазеров при старении и облучении

А. А. Кочетков

Центральный научно-исследовательский испытательный институт Министерства обороны РФ, Мытищи, Моск.обл.
PDF полного текста (114 kB)
Аннотация: Исследованы особенности деградации GaAlAs- и InGaAsP-гетеролазеров при старении (T=60°С) и в процессе облучения. Определены аналитические выражения, характеризующие увеличение дисперсии распределения порогового тока в зависимости от времени ресурсных испытаний и от дозы облучения потоками быстрых частиц.
Поступила в редакцию: 24.11.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 4, Pages 321–322
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n04ABEH001724
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 61.80.Hg


Образец цитирования: А. А. Кочетков, “Статистические особенности деградации гетеролазеров при старении и облучении”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 321–322 [Quantum Electron., 30:4 (2000), 321–322]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1724
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i4/p321
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024