|
Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 3, страницы 256–258
(Mi qe17221)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Статьи, посвященные 80-летию В.С.Летохова
Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm
М. Н. Поповаa, Е. П. Чукалинаa, С. А. Климинa, М. Ч. Чуb a Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
b Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Taiwan
Аннотация:
По спектрам высокого разрешения исследованы форма и тонкая структура линий электронных f – f переходов ионов Tm3+ в многофункциональных кристаллах гранатов Y3Al5O12. Неоднородно уширенные линии имеют лоренцеву форму, что свидетельствует о доминирующем вкладе точечных дефектов в неоднородное уширение. Дефекты типа "иттрий на месте алюминия", возникающие в процессе высокотемпературного роста из расплава, обуславливают также появление спектральных спутников около основных линий.
Ключевые слова:
YAG:Tm, спектроскопия высокого разрешения, форма линий, спектральные спутники.
Поступила в редакцию: 10.02.2020
Образец цитирования:
М. Н. Попова, Е. П. Чукалина, С. А. Климин, М. Ч. Чу, “Неоднородное уширение и расщепление линий в спектрах YAG:Tm”, Квантовая электроника, 50:3 (2020), 256–258 [Quantum Electron., 50:3 (2020), 256–258]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17221 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i3/p256
|
|