Структурный фазовый переход и проявление вихревых токов в ИК спектрах отражения полупроводниковых пленок PbSnTe

Исследованы температурные зависимости спектров инфракрасного отражения тонких (~60 нм) пленок Pb_1-xSn_xTe с х = 0.25, 0.53 и 0.59, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на гибридных подложках GaAs/CdTe в области 20–5500 см^-1 в интервале температур 5–300 K. Из спектров определены температурные зависимости частот поперечных фононов и плазмонов этих пленок, позволившие обнаружить структурный фазовый переход при ТC ≈ 50 K. Выявлено увеличение плазменных частот с уменьшением ширины запрещенной зоны при охлаждении образца от 300 до 77 K. Увеличение плазменной частоты в основном может быть связано с увеличением концентрации носителей и c переходом их из вихревых токов на поверхности пленки в валентную зону.