Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 3, страницы 299–304 (Mi qe17209)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Наноалмазы с SiV-центрами окраски для квантовых технологий

А. И. Зеленеевabc, С. В. Большедворскийadc, В. В. Сошенкоdc, О. Р. Рубинасabdc, А. С. Гаранинаe, С. Г. Ляпинf, В. Н. Агафоновe, Р. Е. Узбековe, О. С. Кудрявцевg, В. Н. Сорокинbd, А. Н. Смоляниновc, В. А. Давыдовf, А. В. Акимовbdh

a Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
b Российский квантовый центр, Москва, Сколково
c ООО "Фотонные нано-мета технологии", Москва, Сколково
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
e University of Tours, France
f Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, г. Москва, г. Троицк
g Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
h Texas A&M University, USA
Список литературы:
Аннотация: Исследованы свойства центров окраски кремний-вакансия (SiV-центр) в ультрананоразмерных алмазах. Наноалмазы были получены посредством индуцируемых высокими давлениями и температурами превращений смесей органических и гетероорганических соединений, не содержащих металл-катализаторов. Распределение по размерам выращенных наноалмазов определялось методами просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии, а также оценивалось с использованием модели пространственной локализации фононов. Исследованы также спектры комбинационного рассеяния различных наноалмазов и люминесцентные свойства SiV-центров в них.
Ключевые слова: наноалмазы, SiV-центр, напряжения в кристаллической решетке, спектроскопия комбинационного рассеяния, люминесцентная спектроскопия, зондовая микроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-19-00693
Российский фонд фундаментальных исследований 18-03-00936
Исследование выполнено при поддержке РНФ (грант № 19-19-00693) и РФФИ (грант № 18-03-936).
Поступила в редакцию: 14.11.2019
Исправленный вариант: 19.12.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 3, Pages 299–304
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17189
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Дополнительные материалы:
pic_2c.pdf (421.9 Kb)
pic_4a.pdf (391.7 Kb)


Образец цитирования: А. И. Зеленеев, С. В. Большедворский, В. В. Сошенко, О. Р. Рубинас, А. С. Гаранина, С. Г. Ляпин, В. Н. Агафонов, Р. Е. Узбеков, О. С. Кудрявцев, В. Н. Сорокин, А. Н. Смолянинов, В. А. Давыдов, А. В. Акимов, “Наноалмазы с SiV-центрами окраски для квантовых технологий”, Квантовая электроника, 50:3 (2020), 299–304 [Quantum Electron., 50:3 (2020), 299–304]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17209
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i3/p299
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024