Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe2+ в ZnSe

Экспериментально обнаружено влияние свободных электронов в кристалле ZnSe : Fe²⁺ на нелинейное пропускание мощного лазерного излучения с длиной волны 2940 нм при комнатной и низкой температурах. Использовались образцы ZnSe : Fe²⁺, легированные дополнительно Al. В сильном поле (пиковая интенсивность около 4.6 МВт/см²) пропускание образца ZnSe : Fe : Al с электронной проводимостью практически такое же, как и в слабом поле, и при низкой, и при комнатной температуре. Отсутствие увеличения пропускания этого образца для мощного излучения интерпретировано как увеличение интенсивности насыщения поглощения Fe²⁺ на этой длине волны, что является следствием уменьшения времени жизни возбужденного состояния Fe²⁺. Уменьшение времени жизни связывается с известным эффектом Оже тушения люминесценции примеси в полупроводниках свободными электронами.