Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 11, страницы 1036–1044 (Mi qe17140)  

Акусто- и электрооптическая модуляция света

Моделирование электрооптического модулятора на основе вертикального p–n-перехода в структуре кремний-на-изоляторе

А. В. Царевab, Р. М. Тазиевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты численного моделирования электрооптического модулятора Маха–Цендера с применением делителей пучка на основе многомодовой интерференции в структуре кремний-на-изоляторе. Управление обеспечивается за счет эффекта обеднения в вертикальном p–n-переходе, который может быть изготовлен с помощью технологической процедуры самовыравнивания. Предложена оптимальная конструкция модулятора, согласованного с внешней 50-омной нагрузкой, для которого при величине обратного смещения –5 В и активной длине 1.7 мм возможна реализация рабочей полосы оптических частот ~50 ГГц. Предложен особый профиль легирования p–n-перехода модулятора, обеспечивающий оптическую полосу частот 30 ГГц при обратном смещении –3 В и длине модулятора 2.5 мм. Такие модуляторы могут найти применение в устройствах интегральной оптики, оптической связи и радиофотоники.
Ключевые слова: электрооптический модулятор, кремний-на-изоляторе, p–n-переход, численное моделирование, интегральная оптика, радиофотоника.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI58117X0026
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI58117X0026.
Поступила в редакцию: 22.03.2019
Исправленный вариант: 24.04.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 11, Pages 1036–1044
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Дополнительные материалы:
pic_4.pdf (1.9 Mb)
pic_5.pdf (485.8 Kb)
pic_7.pdf (581.2 Kb)


Образец цитирования: А. В. Царев, Р. М. Тазиев, “Моделирование электрооптического модулятора на основе вертикального p–n-перехода в структуре кремний-на-изоляторе”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1036–1044 [Quantum Electron., 49:11 (2019), 1036–1044]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17140
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i11/p1036
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024