Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 10, страницы 913–918 (Mi qe17133)  

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Лазеры

Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний

Д. В. Ушаковa, А. А. Афоненкоa, А. А. Дубиновb, В. И. Гавриленкоb, О. Ю. Волковc, Н. В. Щаврукd, Д. С. Пономаревd, Р. А. Хабибуллинd

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального исследовательского центра «Институт прикладной физики РАН», г. Нижний Новгород
c ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
d Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Разработана модель расчета вольт-амперных (ВАХ) и мощностных характеристик квантово-каскадных лазеров (ККЛ) терагерцевого диапазона (ТГц) на основе системы балансных уравнений для локализованных состояний и состояний континуума. Для учета влияния дефазировки на процессы переноса носителей заряда предложен метод модификации собственного базиса уравнения Шредингера путем уменьшения дипольных моментов туннельно-связанных состояний. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных ВАХ и зависимости интегральной интенсивности излучения от тока для ТГц ККЛ с частотой генерации 2.3 ТГц и найдено хорошее соответствие рассчитанных и экспериментальных значений порогового тока, токового диапазона генерации и максимальной рабочей температуры Тmax. Показано, что при уменьшении толщины верхнего контактного слоя n+-GaAs исследуемого лазера с 800 до 100 нм можно увеличить Тmax на 25%.
Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, терагерцевый диапазон, распределенная модель, балансные уравнения, дефазировка состояний, дипольный момент, спектры усиления, ВАХ, пороговый ток, максимальная рабочая температура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф18Р-107
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-00011_Бел
Российский научный фонд 18-19-00493
Моделирование ТГц ККЛ выполнено при финансовой поддержке БРФФИ (грант № Ф18Р-107) и РФФИ (грант № 18-52-00011_Бел), а изготовление и измерение характеристик – при финансовой поддержке РНФ (грант № 18-19-00493).
Поступила в редакцию: 27.05.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 10, Pages 913–918
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, О. Ю. Волков, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний”, Квантовая электроника, 49:10 (2019), 913–918 [Quantum Electron., 49:10 (2019), 913–918]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17133
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i10/p913
  • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:223
    PDF полного текста:68
    Список литературы:28
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024