Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 6, страницы 556–558 (Mi qe17063)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'

Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

М. А. Фадеевab, А. А. Дубиновa, В. Я. Алешкинa, В. В. Румянцевa, В. В. Уточкинa, В. И. Гавриленкоa, Ф. Тепb, Х.-В. Хюберсc, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier, France
c Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Germany
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Список литературы:
Аннотация: Проведен численный анализ энергетического порога оже-рекомбинации в гетероструктурах HgTe/CdxHg1-xTe с квантовыми ямами для различного состава твердого раствора в барьерах. Продемонстрировано, что зависимость пороговой энергии от доли кадмия в барьерах немонотонна и достигает максимума при x ≈ 0.6–0.7. Сравнение численных расчетов с экспериментальными результатами по температурному гашению стимулированного излучения в структуре Cd0.1Hg0.9Te/Cd0.65Hg0.35Te позволяет рассчитывать на более чем двукратное увеличение температуры гашения стимулированного излучения в структурах с квантовыми ямами из чистого HgTe и барьерами с высоким (~0.6) содержанием кадмия.
Ключевые слова: пороговая энергия, оже-рекомбинация, HgCdTe.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 17-12-01360).
Поступила в редакцию: 04.04.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 6, Pages 556–558
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556–558 [Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17063
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i6/p556
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:221
    PDF полного текста:23
    Список литературы:25
    Первая страница:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024