Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 3, страницы 279–281 (Mi qe1705)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Условия одновременного образования хлоридов Ar, Kr и Xe в многоволновом излучателе с накачкой поперечным разрядом

А. К. Шуаибов, А. И. Дащенко

Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
Аннотация: Исследованы условия образования молекул АrСl(В), КrСl(В), ХеСl(D,В), Сl2(D') в импульсном поперечном разряде на смеси Аr —Кr—Хе— Сl2 (p = 2 – 30 кПа). Показано, что данный разряд является многоволновым источником ВУФ-УФ излучения на λ = 175, 222, 236, 258 и 308 нм на переходах АrСl (B  — X), КrСl (B — X), ХеСl (D — X), Cl2 (D' — A'), ХеСl (B — X) соответственно. Для получения соизмеримых яркостей излучения на вышеуказанных переходах молекул при умеренном зарядном напряжении (4 — 15 кВ) парциальное давление атомов Кr и Хе в смеси должно находиться в пределах 0.2 — 0.5 кПа. Исследуемый разряд представляет интерес для разработки многоволнового электроразрядного излучателя на хлоридах тяжелых инертных газов, работающего в области длин волн 175 — 308 нм.
Поступила в редакцию: 30.09.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 3, Pages 279–281
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n03ABEH001705
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.72.Bj, 36.90.+f


Образец цитирования: А. К. Шуаибов, А. И. Дащенко, “Условия одновременного образования хлоридов Ar, Kr и Xe в многоволновом излучателе с накачкой поперечным разрядом”, Квантовая электроника, 30:3 (2000), 279–281 [Quantum Electron., 30:3 (2000), 279–281]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1705
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i3/p279
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:169
    PDF полного текста:75
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024