|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 3, страницы 279–281
(Mi qe1705)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Условия одновременного образования хлоридов Ar, Kr и Xe в многоволновом излучателе с накачкой поперечным разрядом
А. К. Шуаибов, А. И. Дащенко Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
Аннотация:
Исследованы условия образования молекул АrСl(В), КrСl(В), ХеСl(D,В), Сl2(D') в импульсном поперечном разряде на смеси Аr —Кr—Хе— Сl2 (p = 2 – 30 кПа). Показано, что данный разряд является многоволновым источником ВУФ-УФ излучения на λ = 175, 222, 236, 258 и 308 нм на переходах АrСl (B — X), КrСl (B — X), ХеСl (D — X), Cl2 (D' — A'), ХеСl (B — X) соответственно. Для получения соизмеримых яркостей излучения на вышеуказанных переходах молекул при умеренном зарядном напряжении (4 — 15 кВ) парциальное давление атомов Кr и Хе в смеси должно находиться в пределах 0.2 — 0.5 кПа. Исследуемый разряд представляет интерес для разработки многоволнового электроразрядного излучателя на хлоридах тяжелых инертных газов, работающего в области длин волн 175 — 308 нм.
Поступила в редакцию: 30.09.1999
Образец цитирования:
А. К. Шуаибов, А. И. Дащенко, “Условия одновременного образования хлоридов Ar, Kr и Xe в многоволновом излучателе с накачкой поперечным разрядом”, Квантовая электроника, 30:3 (2000), 279–281 [Quantum Electron., 30:3 (2000), 279–281]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1705 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i3/p279
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 165 | PDF полного текста: | 72 | Первая страница: | 1 |
|