Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 5, страницы 479–487 (Mi qe17039)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика ультрахолодных атомов и их применения

Формирование спектров резонансов насыщенного поглощения на закрытых переходах в спектроскопии однонаправленных волн

Э. Г. Сапрыкинa, А. А. Черненкоb

a Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Список литературы:
Аннотация: С помощью метода однонаправленных линейно поляризованных лазерных волн численно и аналитически исследуются процессы формирования спектров резонансов насыщенного поглощения на переходах атомов с моментами уровней J = 0 → J = 1 и J = 1 → J = 2 с целью выяснения влияния на них открытости переходов (ветвления излучения). Показано, что наряду с количественными изменениями спектров, обусловленными константами релаксации уровней, величиной их расщепления, ориентацией поляризаций и интенсивностями волн, имеют место качественные изменения спектров при изменении степени открытости атомного перехода.
Ключевые слова: резонанс насыщенного поглощения, однонаправленные волны, закрытые и открытые переходы.
Поступила в редакцию: 12.03.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 5, Pages 479–487
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16997
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Э. Г. Сапрыкин, А. А. Черненко, “Формирование спектров резонансов насыщенного поглощения на закрытых переходах в спектроскопии однонаправленных волн”, Квантовая электроника, 49:5 (2019), 479–487 [Quantum Electron., 49:5 (2019), 479–487]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17039
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i5/p479
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024