Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 5, страницы 497–504 (Mi qe17031)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Моделирование анизотропии усиления, наведенной линейно поляризованным излучением накачки, в биполяризационном Nd:YAG-лазере

Н. Д. Миловскийa, П. А. Хандохинb

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
Список литературы:
Аннотация: Предложена модель биполяризационного твердотельного Nd:YAG-лазера, учитывающая реальную ориентацию поглощающих и излучающих диполей активных центров Nd3+ в элементарной ячейке алюмоиттриевого граната, которая описывает экспериментально наблюдавшийся эффект анизотропии усиления, наведенной линейно поляризованным излучением накачки. Модель предсказывает новый вид неустойчивости, обусловленный наличием двух конкурирующих каналов накачки, не обсуждавшийся ранее в литературе.
Ключевые слова: лазер, поляризационная мода, наведенная анизотропия усиления, релаксационные колебания.
Поступила в редакцию: 31.08.2018
Исправленный вариант: 22.11.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 5, Pages 497–504
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16807
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Дополнительные материалы:
pic_6.pdf (1.7 Mb)


Образец цитирования: Н. Д. Миловский, П. А. Хандохин, “Моделирование анизотропии усиления, наведенной линейно поляризованным излучением накачки, в биполяризационном Nd:YAG-лазере”, Квантовая электроника, 49:5 (2019), 497–504 [Quantum Electron., 49:5 (2019), 497–504]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17031
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i5/p497
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:208
    PDF полного текста:45
    Список литературы:21
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024