Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 4, страницы 377–379 (Mi qe17023)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Моноклинный LaBWO6 – новый комбинационно-активный кристалл

А. А. Каминский

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Синтезирован новый комбинационно-активный кристалл-вольфрамат LaBWO6 с большим коэффициентом стационарного рамановского усиления (менее 2.8 см/ГВт) и способностью генерировать многокомпонентную стоксову-антистоксову гребенку в видимом диапазоне и в ближнем ИК диапазоне спектра протяженностью ~13010 см-1. В табличной форме дан краткий обзор обнаруженных фотон-фононных нелинейных χ(3)-процессов в известных комбинационно-активных и лазерно-активных кристаллах-вольфраматах.
Ключевые слова: кристалл-вольфрамат LaBWO6, χ(3)-нелинейность, вынужденное комбинационное рассеяние, частотная гребенка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена по Программе фундаментальных исследований Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом”.
Поступила в редакцию: 26.02.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 4, Pages 377–379
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16980
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: А. А. Каминский, “Моноклинный LaBWO6 – новый комбинационно-активный кристалл”, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 377–379 [Quantum Electron., 49:4 (2019), 377–379]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17023
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i4/p377
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024