Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 4, страницы 358–361 (Mi qe17021)  

Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Бесконтактный метод исследования температуры в активном элементе мультидискового криогенного усилителя

В. В. Петровabc, Г. В. Купцовabc, А. И. Ноздринаac, В. А. Петровac, А. В. Лаптевa, А. В. Кирпичниковa, Е. В. Пестряковab

a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
Список литературы:
Аннотация: Разработан и экспериментально реализован новый оригинальный метод, позволяющий бесконтактно измерять температурные поля в области накачки активных элементов лазерных усилителей с мощной диодной накачкой, в том числе работающих при криогенных температурах. Промоделировано и экспериментально подтверждено наличие градиента температуры вдоль оси пучка излучения накачки величиной ~57 К/мм в центре активного элемента лазерного блока усиления, работающего при криогенных температурах с частотой следования импульсов до 1 кГц.
Ключевые слова: диодная накачка, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель, лазерная термометрия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 0307-2017-0011
Сибирское отделение Российской академии наук
Российский фонд фундаментальных исследований 19-42-543007
Работа выполнена при поддержке Программ фундаментальных исследований Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом” и СО РАН (№ 0307-2017-0011), а также РФФИ (грант № 19-42-543007).
Поступила в редакцию: 19.02.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 4, Pages 358–361
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16972
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. В. Петров, Г. В. Купцов, А. И. Ноздрина, В. А. Петров, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Бесконтактный метод исследования температуры в активном элементе мультидискового криогенного усилителя”, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 358–361 [Quantum Electron., 49:4 (2019), 358–361]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17021
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i4/p358
  • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024