Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 3, страницы 226–230 (Mi qe17001)  

Управление параметрами лазерного излучения

Генерация управляемых мод Айнса–Гаусса в микрочиповом лазере с пассивной модуляцией добротности при накачке усеченным нецентральным гауссовым пучком

Минмин Чжанa, Шэнчуан Байb, Цзюнь Дунa

a Laboratoty of Laser and Applied Photonics (LLAP), Department of Electronics Engineering, College of Electronic Science and Technology, Xiamen University
b Department of Automation, Tsinghua University, China
Список литературы:
Аннотация: Продемонстрирован микрочиповый Nd : YAG/Cr4+ : YAG-лазер с пассивной модуляцией добротности (ПМД), накачиваемый усеченным нецентральным гауссовым пучком с целью управления генерацией мод Айнса–Гаусса (IG). Моды IGe(n, n) (n = 0, ..., 4) были получены экспериментально подбором соответствующего параметра усечения, который определялся как отношение радиусов апертуры и перетяжки пучка накачки. Мода IGe(4, 4) получена при нецентральной накачке гауссовым пучком мощностью 2.6 Вт, переключение мод достигалось путем уменьшения параметра усечения. Для иллюстрации процесса селекции мод теоретически рассчитаны пороговые мощности накачки для различных мод IGe(n, n). Таким образом, в микрочиповом лазере с ПМД получена импульсная генерация мод IGe(n, n) (n ≥ 1) с пиковой мощностью более 1 кВт и наносекундной длительностью импульса; такие лазеры являются потенциальными источниками излучения для формирования гибких массивов оптических вихрей для оптических пинцетов.
Ключевые слова: моды Айнса–Гаусса, микрочиповый лазер, Nd : YAG, лазер с пассивной модуляцией добротности, Cr4+ : YAG.
Финансовая поддержка Номер гранта
National Natural Science Foundation of China 61475130
61275143
NCET - New Century Excellent Talents in University (China) NCET-09-0669
Работа поддержана Национальным научным фондом Китая (грант № 61475130, 61275143) и Программой “Выдающиеся университетские таланты нового века” (грант № NCET-09-0669).
Поступила в редакцию: 18.10.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 3, Pages 226–230
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16865
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Минмин Чжан, Шэнчуан Бай, Цзюнь Дун, “Генерация управляемых мод Айнса–Гаусса в микрочиповом лазере с пассивной модуляцией добротности при накачке усеченным нецентральным гауссовым пучком”, Квантовая электроника, 49:3 (2019), 226–230 [Quantum Electron., 49:3 (2019), 226–230]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17001
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i3/p226
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:253
    PDF полного текста:23
    Список литературы:26
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024