Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 2, страницы 133–140 (Mi qe16985)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Термоплазмонное лазерно-индуцированное жидкостное травление сапфира

М. Ю. Цветковa, Н. В. Минаевa, А. А. Акованцеваa, П. С. Тимашевbac, А. Э. Муслимовd, В. М. Каневскийd

a Институт фотонных технологий ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, г. Москва, г. Троицк
b Институт регенеративной медицины Первого Московского государственного медицинского университета им. И. М. Сеченова
c Институт химической физики им. Н. Н. Семенова РАН, г. Москва
d Институт кристаллографии ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Для микроструктурирования такого твердого и сложного в обработке материала как сапфир предлагается использовать технологию термоплазмонного лазерно-индуцированного жидкостного травления. В предлагаемой технологии поглощающей лазерное излучение средой служат наночастицы серебра, получающиеся из прекурсора (AgNO3) и обеспечивающие значительное поглощение лазерного излучения благодаря наличию плазмонного поглощения с формированием существенно локализованной области с экстремально высокими температурами и давлениями. Такой подход позволяет обрабатывать сапфир как в "мягком" режиме с созданием структур в нанометровом диапазоне размеров, так и в "жестком" режиме, позволяющем формировать "глубокие" структуры со скоростями травления до нескольких микрометров за импульс и большим аспектным отношением. Показана возможность формирования в сапфире (в надпороговом режиме) периодических структур.
Ключевые слова: лазерно-индуцированное жидкостное травление, сапфир, термоплазмоника, микроструктурирование, лазерно-индуцированные периодические структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00420 А
18-29-06056 МК
16-29-11763 офи-м
Российский научный фонд 14-33-00017-П
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 007-ГЗ/Ч3363/26
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 18-02-00420 А) в части создания установки лазерного микроструктурирования и (гранты № 18-29-06056 МК; 16-29-11763 офи-м) в части исследования процессов травления сапфира при сверхкритических температурах. Работа поддержана также грантом РНФ № 14-33-00017-П в части создания аппаратуры при работе со сверхкритическими температурами и давлениями и Федеральным агентством научных организаций (соглашение № 007-ГЗ/Ч3363/26) в части развития технологий микроструктурирования.
Поступила в редакцию: 02.10.2018
Исправленный вариант: 19.10.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 2, Pages 133–140
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16831
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. Ю. Цветков, Н. В. Минаев, А. А. Акованцева, П. С. Тимашев, А. Э. Муслимов, В. М. Каневский, “Термоплазмонное лазерно-индуцированное жидкостное травление сапфира”, Квантовая электроника, 49:2 (2019), 133–140 [Quantum Electron., 49:2 (2019), 133–140]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16985
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i2/p133
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:287
    PDF полного текста:89
    Список литературы:34
    Первая страница:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024