Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 2, страницы 115–118 (Mi qe16984)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Лазер коротких импульсов на 795 нм с внутрирезонаторной генерацией суммарной частоты при использовании двух кристаллов MgO : PPLN

Чжиюн Лиab, Жунцин Таньac, Бося Яньd, Цзиньтянь Бяньb, Цин Еb, Фанцзинь Нинac, Лемао Хуac

a Department of High Power Gas Laser, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, China
b State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, Electronic Engineering Institute, China
c University of Chinese Academy of Sciences, China
d Academy of Opto-Electronis, Chinese Academy of Sciences, China
Список литературы:
Аннотация: Сообщается о создании перестраиваемого импульсного лазера (λ = 795 нм) на основе параметрического генератора света с накачкой на 1064 нм от лазера, в котором используется внутрирезонаторная генерация суммарной частоты. В резонаторе находятся два кристалла MgO : PPLN с периодически поляризованной структурой (периоды 22.0 и 31.0 мкм). Кристалл с периодом 31.0 мкм используется для генерации излучения среднего ИК диапазона, а другой кристалл служит для сложения частот этого ИК излучения и излучения накачки. Длительность импульса лазера на 795 нм составляет 3.6 нс, частота следования импульсов – 35.3 кГц. Пиковая мощность лазера достигает 2.8 кВт при ширине спектральной линии 0.35 нм. Пороговая мощность накачки лазера на 795 нм составляет 1.4 Вт, а эффективность оптического преобразования исходного излучения на 1064 нм в излучение на 795 нм равна 5.7% при максимальной выходной мощности. Предлагаемый лазер может служить конкурентоспособным источником излучения ближнего ИК диапазона для исследования рубидиевого лазера с диодной накачкой.
Ключевые слова: генерация суммарной частоты, периодически поляризованная структура, параметрический генератор света, лазер на парах щелочных металлов, суррогатный лазер.
Финансовая поддержка Номер гранта
National Natural Science Foundation of China 61505212
61775215
61875198
State Key Laboratory for High Power Pulsed Laser Technology SKL2016KF02
Работа поддержана Национальным фондом естественных наук Китая (гранты № 61505212, 61775215 и 61875198), а также фондом Государственной ведущей лаборатории импульсных лазерных технологий высокой мощности (грант № SKL2016KF02).
Поступила в редакцию: 30.09.2018
Исправленный вариант: 22.10.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 2, Pages 115–118
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16830
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Чжиюн Ли, Жунцин Тань, Бося Янь, Цзиньтянь Бянь, Цин Е, Фанцзинь Нин, Лемао Ху, “Лазер коротких импульсов на 795 нм с внутрирезонаторной генерацией суммарной частоты при использовании двух кристаллов MgO : PPLN”, Квантовая электроника, 49:2 (2019), 115–118 [Quantum Electron., 49:2 (2019), 115–118]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16984
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i2/p115
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024