Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/config.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 11, страницы 1000–1004 (Mi qe16933)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Антиотражающее покрытие элементов силовой алмазной оптики для CO2-лазеров

П. А. Пивоваровab, В. С. Павельевcd, В. А. Сойферcd, К. В. Черепановce, В. И. Анисимовe, В. В. Бутузовe, В. Р. Сороченкоa, Н. В. Артюшкинf, В. Е. Рогалинfg, Н. И. Щебетоваf, В. Г. Плотниченкоh, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Самарский университет
d Институт систем обработки изображений РАН, г. Самара
e Акционерное общество «Научно-исследовательский институт "Экран"», г. Самара
f АО «Национальный центр лазерных систем и комплексов "Астрофизика"», г. Москва
g Тверской государственный университет
h Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Разработана технология нанесения на алмазные подложки однослойного антиотражающего для излучения CO2-лазеров с λ = 10.6 мкм покрытия из PbF2. В качестве подложек использованы пластины из поликристаллического CVD алмаза. Коэффициент пропускания алмазных пластин с двухсторонним покрытием достигал 98.5% – 99%. Измеренная лучевая стойкость таких пластин в нормальных условиях окружающей среды для импульсного (τ ~100 нс) и непрерывного излучения CO2-лазеров составила 250 и 4 МВт/см2 соответственно. Эти значения сравнимы с порогами разрушения алмазных подложек. Обнаружено увеличение порога разрушения антиотражающего покрытия в непрерывном режиме воздействия до 5.5 МВт/см2 при предварительном многократном облучении образцов менее интенсивным лазерным излучением. Этот эффект может быть объяснен удалением с поверхности пленки частиц и слоя адсорбата без ее разрушения (эффект лазерной очистки).
Ключевые слова: антиотражающее покрытие, лучевая стойкость, алмазная оптика, СO2-лазер.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00243
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.7894.2017/6.7
Исследования лучевой стойкости АО покрытия выполнены при поддержке Российского научного фонда (проект № 14-22-00243), разработка технологии АО покрытия частично финансировалась Минобрнауки РФ (проект № 16.7894.2017/6.7).
Поступила в редакцию: 12.10.2018
Исправленный вариант: 19.10.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 11, Pages 1000–1004
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16855
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: П. А. Пивоваров, В. С. Павельев, В. А. Сойфер, К. В. Черепанов, В. И. Анисимов, В. В. Бутузов, В. Р. Сороченко, Н. В. Артюшкин, В. Е. Рогалин, Н. И. Щебетова, В. Г. Плотниченко, В. И. Конов, “Антиотражающее покрытие элементов силовой алмазной оптики для CO2-лазеров”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 1000–1004 [Quantum Electron., 48:11 (2018), 1000–1004]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16933
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i11/p1000
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. N. Yu. Ilyasova, V. V. Sergeyev, N. S. Demin, Pattern Recognit. Image Anal., 33:4 (2023), 1080  crossref
    2. V O Sokolov, J. Phys.: Conf. Ser., 1745:1 (2021), 012031  crossref
    3. М. С. Андреева, Н. В. Артюшкин, М. И. Крымский, А. И. Лаптев, Н. И. Полушин, В. Е. Рогалин, М. В. Рогожин, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1140–1145  mathnet; Quantum Electron., 50:12 (2020), 1140–1145  crossref  isi  elib
    4. Korolkov V. Belousov D., 2020 Vi International Conference on Information Technology and Nanotechnology (IEEE Itnt-2020), ed. Kudryashov D., IEEE, 2020  crossref  isi
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:401
    PDF полного текста:179
    Список литературы:46
    Первая страница:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025