Аннотация:
Разработана технология нанесения на алмазные подложки однослойного антиотражающего для излучения CO2-лазеров с λ = 10.6 мкм покрытия из PbF2. В качестве подложек использованы пластины из поликристаллического CVD алмаза. Коэффициент пропускания алмазных пластин с двухсторонним покрытием достигал 98.5% – 99%. Измеренная лучевая стойкость таких пластин в нормальных условиях окружающей среды для импульсного (τ ~100 нс) и непрерывного излучения CO2-лазеров составила 250 и 4 МВт/см2 соответственно. Эти значения сравнимы с порогами разрушения алмазных подложек. Обнаружено увеличение порога разрушения антиотражающего покрытия в непрерывном режиме воздействия до 5.5 МВт/см2 при предварительном многократном облучении образцов менее интенсивным лазерным излучением. Этот эффект может быть объяснен удалением с поверхности пленки частиц и слоя адсорбата без ее разрушения (эффект лазерной очистки).
Исследования лучевой стойкости АО покрытия выполнены при поддержке Российского научного фонда (проект № 14-22-00243), разработка технологии АО покрытия частично финансировалась Минобрнауки РФ (проект № 16.7894.2017/6.7).
Поступила в редакцию: 12.10.2018 Исправленный вариант: 19.10.2018
Образец цитирования:
П. А. Пивоваров, В. С. Павельев, В. А. Сойфер, К. В. Черепанов, В. И. Анисимов, В. В. Бутузов, В. Р. Сороченко, Н. В. Артюшкин, В. Е. Рогалин, Н. И. Щебетова, В. Г. Плотниченко, В. И. Конов, “Антиотражающее покрытие элементов силовой алмазной оптики для CO2-лазеров”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 1000–1004 [Quantum Electron., 48:11 (2018), 1000–1004]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16933
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i11/p1000
Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
N. Yu. Ilyasova, V. V. Sergeyev, N. S. Demin, Pattern Recognit. Image Anal., 33:4 (2023), 1080
V O Sokolov, J. Phys.: Conf. Ser., 1745:1 (2021), 012031
М. С. Андреева, Н. В. Артюшкин, М. И. Крымский, А. И. Лаптев, Н. И. Полушин, В. Е. Рогалин, М. В. Рогожин, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1140–1145; Quantum Electron., 50:12 (2020), 1140–1145
Korolkov V. Belousov D., 2020 Vi International Conference on Information Technology and Nanotechnology (IEEE Itnt-2020), ed. Kudryashov D., IEEE, 2020