|
Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 10, страницы 902–905
(Mi qe16914)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Квантовые технологии
Генерация узкополосных однофотонных состояний при спонтанном параметрическом рассеянии для квантовой памяти в примесных кристаллах
Д. О. Акатьев, И. З. Латыпов, А. В. Шкаликов, А. А. Калачев Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Федерального
исследовательского центра «Казанский научный центр
РАН»
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований генерации узкополосных однофотонных состояний при спонтанном параметрическом рассеянии в кристалле PPLN в резонаторе. Продемонстрирована возможность условного приготовления одиночных фотонов с длиной волны 867 нм и спектральной шириной 70 МГц, пригодных для записи в устройствах оптической квантовой памяти на основе изотопически чистых кристаллов Y7LiF4, легированных ионами Nd3+.
Ключевые слова:
однофотонный источник, спонтанное параметрическое рассеяние, резонатор.
Поступила в редакцию: 31.07.2018
Образец цитирования:
Д. О. Акатьев, И. З. Латыпов, А. В. Шкаликов, А. А. Калачев, “Генерация узкополосных однофотонных состояний при спонтанном параметрическом рассеянии для квантовой памяти в примесных кристаллах”, Квантовая электроника, 48:10 (2018), 902–905 [Quantum Electron., 48:10 (2018), 902–905]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16914 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i10/p902
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 314 | PDF полного текста: | 125 | Список литературы: | 35 | Первая страница: | 15 |
|