Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 9, страницы 867–878 (Mi qe16892)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Сравнительный анализ волноводных плазмон-поляритонных рефрактометров на основе возбуждения поверхностной, симметричной и антисимметричной плазмонных мод

А. В. Дышлюкab, О. Б. Витрикac, Ю. Н. Кульчинac

a Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток
b Владивостокский государственный университет экономики и сервиса
c Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты численного исследования трех конфигураций волноводного рефрактометра на основе поверхностного плазмонного резонанса: рефрактометр без буферного слоя на основе возбуждения поверхностной плазмонной моды, а также рефрактометры с буферным слоем на основе возбуждения симметричной и антисимметричной плазмонных мод. Установлено, что наилучшими метрологическими характеристиками обладает рефрактометр на симметричной плазмонной моде: выигрыш по совокупности спектральной чувствительности и ширины резонансного провала достигает двух порядков величины по сравнению с рефрактометром на антисимметричной плазмонной моде и одного порядка – по сравнению с рефрактометром без буферного слоя. С точки зрения измерения локальных вариаций показателя преломления в тонком слое преимущество от использования симметричной плазмонной моды менее выражено и составляет примерно 20 и 6 соответственно. Показано, что более высокие метрологические характеристики рефрактометра на симметричной плазмонной моде достигаются в ущерб его компактности: длина чувствительного участка в таком рефрактометре может на три порядка превышать аналогичную характеристику для рефрактометров без буферного слоя и на антисимметричной плазмонной моде. Минимальная длина чувствительного участка достигается в рефрактометре на антисимметричной плазмонной моде, который, однако, обладает наихудшими метрологическими характеристиками. Что касается простоты изготовления, то наиболее привлекательной является схема без буферного слоя, которая занимает промежуточное положение между рефрактометрами на симметричной и антисимметричной плазмонных модах как по метрологическим параметрам, так и по длине чувствительного участка.
Ключевые слова: поверхностный плазмонный резонанс, волноводный плазмон-поляритонный рефрактометр, симметричная плазмонная мода, антисимметричная плазмонная мода, хемосенсорика, биосенсорика.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10165
Работа поддержана РНФ (грант № 16-12-10165).
Поступила в редакцию: 12.05.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 9, Pages 867–878
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16730
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: А. В. Дышлюк, О. Б. Витрик, Ю. Н. Кульчин, “Сравнительный анализ волноводных плазмон-поляритонных рефрактометров на основе возбуждения поверхностной, симметричной и антисимметричной плазмонных мод”, Квантовая электроника, 48:9 (2018), 867–878 [Quantum Electron., 48:9 (2018), 867–878]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16892
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i9/p867
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:240
    PDF полного текста:68
    Список литературы:29
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024