Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 8, страницы 733–737 (Mi qe16884)  

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Волоконная оптика

Использование редкоземельных элементов для создания спектрально-селективного поглощения в мощных волоконных лазерах

Т. А. Кочергинаa, С. С. Алешкинаa, М. М. Худяковab, М. В. Яшковc, Д. С. Липатовc, А. Н. Абрамовc, Л. Д. Исхаковаa, М. М. Бубновa, А. Н. Гурьяновc, М. Е. Лихачевa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых РАН, г. Нижний Новгород
Список литературы:
Аннотация: Исследованы спектры поглощения волоконных световодов, активированных ионами редкоземельных элементов (Sm3+, Tm3+, Tb3+, Pr3+, Ho3+), и показана перспективность их применения для создания спектрально-селективного поглощения в волоконных лазерах. Установлено, что такие световоды могут быть использованы для защиты диодов накачки от обратного излучения на рабочей длине волны для неодимового, эрбиевого, эрбий-иттербиевого или тулиевого лазера. Соответствующий выбор редкоземельного элемента позволяет обеспечить высокое (10–20 дБ) поглощение на рабочей длине волны генерации лазера и в то же время гарантировать высокое пропускание (с потерями менее нескольких десятых дБ) на длинах волн накачки. Для демонстрации перспективности предложенного подхода реализован и исследован волоконный световод, легированный ионами Tm3+, совместимый со световодами, выводящими излучение стандартных полупроводниковых диодов накачки (диаметр сердцевины 105 мкм, апертура 0.22). Показана возможность эффективного подавления излучения в области 1550 нм на величину более 20 дБ даже в случае мощного (до 10 Вт) нежелательного излучения сигнала. При этом суммарные оптические потери излучения накачки не превышали 0.5 дБ и могут быть уменьшены путем оптимизации состава сердцевины и конструкции волоконного световода.
Ключевые слова: спектр поглощения, редкоземельный ион, волоконный лазер, защита источника накачки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10553
Работа выполнена при поддержке РНФ (грант № 16-12-10553).
Поступила в редакцию: 24.05.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 8, Pages 733–737
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16740
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Т. А. Кочергина, С. С. Алешкина, М. М. Худяков, М. В. Яшков, Д. С. Липатов, А. Н. Абрамов, Л. Д. Исхакова, М. М. Бубнов, А. Н. Гурьянов, М. Е. Лихачев, “Использование редкоземельных элементов для создания спектрально-селективного поглощения в мощных волоконных лазерах”, Квантовая электроника, 48:8 (2018), 733–737 [Quantum Electron., 48:8 (2018), 733–737]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16884
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i8/p733
  • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:265
    PDF полного текста:83
    Список литературы:25
    Первая страница:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024