Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 8, страницы 691–694 (Mi qe16880)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Плоский Ho : YAG-лазер мощностью 146.4 Вт на двух кристаллах с торцевой накачкой

С. М. Дуаньa, И. Ц. Шеньb, Б. Ц. Яоa, Ю. Ч. Ванa

a National Key Laboratory of Tunable Laser Technology, Harbin Institute of Technology, China
b School of Opto-electronic Information Science and Technology, Yantai University, China
PDF полного текста (1042 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Сообщается о разработке мощного плоского Ho:YAG-лазера на двух кристаллах. Достигнута максимальная мощность 146.4 Вт в непрерывном режиме на длине волны 2090.7 нм, что соответствует дифференциальному КПД 66.0% и эффективности оптико-оптического преобразования 61.2%. Параметр качества пучка M2, измеренный при различных уровнях выходной мощности, составил менее 2.2. С применением акустооптической модуляции добротности были получены максимальные средние мощности 141.3, 137.7 и 134.5 Вт при частотах следования импульсов 20, 30 и 50 кГц соответственно. При этих же частотах следования импульсов достигнуты минимальные длительности импульса 39, 44 и 74 нс соответственно.
Ключевые слова: твердотельный лазер, Ho:YAG-лазер, высокая мощность.
Финансовая поддержка Номер гранта
National Natural Science Foundation of China 51572053
Fundamental Research funds for the Provincial Universities WL17B14
Работа поддержана Национальным фондом естественных наук Китая (грант № 51572053), а также Фондами фундаментальных исследований для провинциальных университетов (грант № ВтL17B14).
Поступила в редакцию: 24.04.2018
Исправленный вариант: 13.06.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 8, Pages 691–694
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16717
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Дополнительные материалы:
pic_2.pdf (662.4 Kb)


Образец цитирования: С. М. Дуань, И. Ц. Шень, Б. Ц. Яо, Ю. Ч. Ван, “Плоский Ho : YAG-лазер мощностью 146.4 Вт на двух кристаллах с торцевой накачкой”, Квантовая электроника, 48:8 (2018), 691–694 [Quantum Electron., 48:8 (2018), 691–694]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16880
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i8/p691
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024