Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 7, страницы 603–606 (Mi qe16860)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Лазеры

Энергетические и спектральные характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 с накачкой излучением Ho : YAG-лазера

А. И. Грибенюковa, С. М. Ватникb, В. В. Деминc, С. Н. Подзываловc, И. Г. Половцевc, Н. Н. Юдинc

a Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, г. Томск
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
c Национальный исследовательский Томский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Экспериментально реализованы средняя мощность генерации параметрического генератора (ПГ) на основе монокристалла ZnGeP2, составившая ~1.5 Вт, и КПД, равный ~28.6% в диапазоне длин волн 3.5–4.8 мкм при средней мощности излучения накачки ~5.5 Вт и плотности его энергии ~0.47 Дж/см2. Показано, что существуют пороговые условия по средней мощности излучения накачки для реализации параметрической генерации. При этом рост эффективности генерации наблюдается с увеличением плотности энергии излучения накачки до ~0.4 Дж/см2, а при дальнейшем ее увеличении выходная мощность растет за счет уменьшения порога параметрической генерации. Параметрические генераторы на основе монокристаллов ZnGeP2 с указанными характеристиками являются перспективными для решения многих прикладных задач, в том числе для генерации терагерцевого излучения при накачке нелинейных кристаллов излучением таких ПГ на разностной частоте.
Ключевые слова: параметрическая генерация, ZnGeP2, нелинейные кристаллы, излучение среднего ИК диапазона.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.2712.2017/4.6
Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства образования и науки РФ (проект № 8.2712.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 19.03.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 7, Pages 603–606
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16682
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: А. И. Грибенюков, С. М. Ватник, В. В. Демин, С. Н. Подзывалов, И. Г. Половцев, Н. Н. Юдин, “Энергетические и спектральные характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 с накачкой излучением Ho : YAG-лазера”, Квантовая электроника, 48:7 (2018), 603–606 [Quantum Electron., 48:7 (2018), 603–606]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16860
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i7/p603
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024