Многоцветный фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs

Исследованы структурные, оптические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры ZeSe/ZnTe/GaAs и металл – полупроводник – металл-детектора (MПM-детектора) на ее основе. Состав и толщины отдельных слоев гетероструктуры определены методами энергодисперсионного анализа и рамановской спектроскопии, оптические свойства изучены по спектрам фотолюминесценции. МПМ-детектор на основе ZeSe/ZnTe/GaAs-гетероструктуры обладает высокой чувствительностью. Так, на длине волны 620 нм сигнал отклика детектора соответствует ампер-ваттной чувствительности 0.19 А/Вт и внешней квантовой эффективности 38%. Фотоотклик MПM-детектора демонстрирует три пика, расположенных на длинах волн 510, 620 и 870 нм. Для МПМ-диода с шириной встречно-штыревых контактов 2.8 мкм, расстояниями между ними 2.8 мкм и общей площадью фоточувствительной области 100 × 100 мкм плотность темнового тока при комнатной температуре составляет 10^-8 А/см².