В. В. Петров, Г. В. Купцов, В. А. Петров, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Оптимизация мультидискового криогенного усилителя высокоинтенсивной лазерной системы с высокой частотой следования импульсов”, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 358–362 [Quantum Electron., 48:4 (2018), 358

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 4, страницы 358–362 (Mi qe16800)

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Оптимизация мультидискового криогенного усилителя высокоинтенсивной лазерной системы с высокой частотой следования импульсов

В. В. Петров^abc, Г. В. Купцов^ab, В. А. Петров^ca, А. В. Лаптев^a, А. В. Кирпичников^a, Е. В. Пестряков^ab

^a Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
^c Новосибирский государственный технический университет

PDF полного текста (1429 kB) Список цитирования (13)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Проведена модификация кристаллодержателей активных элементов мультидискового многопроходного усилителя с безжидкостным замкнутым циклом криогенного охлаждения. Экспериментально исследованы зависимости равновесной температуры активных элементов от мощности диодной накачки для модифицированных кристаллодержателей, а также зависимость коэффициента усиления от температуры активных элементов. Получено усиление слабого сигнала с коэффициентом до 1.2 за один проход через активный элемент.

Ключевые слова: диодная накачка, лазерная система с высокой пиковой мощностью, высокая частота следования импульсов, криогенные температуры, лазерный усилитель.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Сибирское отделение Российской академии наук
Работа поддержана программами Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом” и СО РАН.

Поступила в редакцию: 16.02.2018

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 4, Pages 358–362
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16640

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. В. Петров, Г. В. Купцов, В. А. Петров, А. В. Лаптев, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, “Оптимизация мультидискового криогенного усилителя высокоинтенсивной лазерной системы с высокой частотой следования импульсов”, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 358–362 [Quantum Electron., 48:4 (2018), 358–362]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16800

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i4/p358

Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы