Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 10, страницы 915–921 (Mi qe16697)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Эволюция во времени функции распределения стохастически нагреваемых релятивистских электронов в поле лазерного излучения пикосекундной длительности

Л. А. Борисенко, Н. Г. Борисенко, Ю. А. Михайлов, А. С. Орехов, Г. В. Склизков, А. М. Чекмарёв, А. А. Шапкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Проведен численный анализ стохастического ускорения электронов, вызываемого случайным изменением фазы силы, действующей на электрон. Основным источником случайности является случайное пространственное распределение электромагнитных полей в фокальной области многомодового лазерного излучения. Характерная частота случайного изменения фазы при максимальном влиянии рассматриваемого эффекта находится в области (0.25–0.5)ν (ν – частота излучения неодимового лазера). Предложена удобная для расчетов модель волнового пакета с учетом излучательных переходов иона неодима. Рассчитана зависимость средней энергии релятивистских электронов от плотности потока в диапазоне 1015–1018 Вт/см2. Найдена зависимость средней энергии электронов от времени в течение лазерного импульса в виде аппроксимационных формул. Определено характерное время развития стохастического нагрева электронов. Обнаружено, что процесс стохастического ускорения слабо зависит от длительности лазерного импульса, когда она превышает несколько сотен периодов электромагнитной волны.
Ключевые слова: лазерная плазма, стохастический нагрев электронов, функции распределения электронов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00366
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант № 17-02-00366).
Поступила в редакцию: 12.05.2017
Исправленный вариант: 18.07.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 10, Pages 915–921
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16426
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Л. А. Борисенко, Н. Г. Борисенко, Ю. А. Михайлов, А. С. Орехов, Г. В. Склизков, А. М. Чекмарёв, А. А. Шапкин, “Эволюция во времени функции распределения стохастически нагреваемых релятивистских электронов в поле лазерного излучения пикосекундной длительности”, Квантовая электроника, 47:10 (2017), 915–921 [Quantum Electron., 47:10 (2017), 915–921]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16697
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i10/p915
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:182
    PDF полного текста:44
    Список литературы:33
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024